Thiết bị làm sạch wafer đơn

Có thể đàm phánCập nhật vào02/15

Mô hình

Thiên nhiên của nhà sản xuất: Nhà sản xuất

Danh mục sản phẩm

Nơi xuất xứ

Tư vấn trực tuyến

Tổng quan

Sê-ri làm sạch đơn wafer Ultra C của Shengmei có thể được sử dụng rộng rãi trong sản xuất mạch tích hợp tiên tiến trong nhiều quy trình trước (FEOL) và sau (BEOL), có thể được trang bị các chất lỏng hóa học khác nhau và phương pháp làm sạch phụ trợ theo các ứng dụng khác nhau, cũng có thể được sử dụng trong sản xuất wafer, sản xuất MEMS, và lĩnh vực sản xuất thiết bị điện.

Chi tiết sản phẩm

Thiết bị làm sạch wafer đơn

• Làm sạch trước khi lắng đọng

• Rửa sau khi khắc

• Làm sạch sau CMP

• Làm sạch tiêu chuẩn RCA

• W Loop sau khi làm sạch

• Làm sạch sau khi Cu Loop

• Loại bỏ các polyme BEOL

• Làm sạch sâu Trench/Via

• Loại bỏ phim

• Làm sạch sau TSV

• Làm sạch trước EPI

• Làm sạch trước ALD

Thông số kỹ thuật và tính năng chính (Ultra C II&Ultra C V&Ultra C VI)

Có sẵn với 8 buồng, 12 buồng và 18 buồng, công suất lên đến 225 chiếc/giờ, 375 chiếc/giờ và 800 chiếc/giờ

Có khả năng làm sạch hai mặt, tối đa 5 loại dung dịch làm sạch như: DHF, DSP+, f-DIW, FOM, SC1, SC2, DIO3, ST250, EKC580, NE111, IPA hoặc dung dịch công thức; Module nạp chất lỏng dược phẩm tích hợp

Có thể tái chế tối đa 2 loại dung dịch thuốc, COO thấp

Tùy chọn nhiệt độ bình thường IPA hoặc nhiệt độ cao IPA tăng cường công nghệ sấy khô

Tùy chọn với Nitơ Atomized DIW Difluid Cleaning hoặc Nitơ Atomized SC1 Difluid Cleaning để hỗ trợ loại bỏ công nghệ sóng siêu âm cho bề mặt phẳng hoặc cấu trúc lỗ sâu Công nghệ sóng siêu âm ướt cho tấm đồ họa để làm sạch hiệu quả và không bị hư hại

Kích thước thiết bị: Ultra C II 2.35m x 5.53m x 2.85m, Ultra C V 2.35m x 6.7m x 2.85m, Ultra C VI 2.35 mét × 6,30 mét × 2,85 mét (W × L × H)

Sản phẩm tương tự Khuyến nghị