Thiết bị rửa Post-CMP

Có thể đàm phánCập nhật vào02/15

Mô hình

Thiên nhiên của nhà sản xuất: Nhà sản xuất

Danh mục sản phẩm

Nơi xuất xứ

Tư vấn trực tuyến

Tổng quan

Thiết bị Post-CMP của Shengmei Thượng Hải được sử dụng để làm sạch sau quá trình mài cơ học hóa học (CMP) chất lượng cao, có sẵn trong các cấu hình ướt vào và khô ra (WIDO) và khô vào và ra (DIDO). Cấu hình 6 inch và 8 inch của thiết bị làm sạch này phù hợp cho sản xuất chất nền silicon carbide (SiC); Cấu hình 8 inch và 12 inch phù hợp cho sản xuất chip silicon.

Chi tiết sản phẩm

Thiết bị rửa Post-CMP

Lợi thế chính

Sau bước CMP, một quá trình làm sạch vật lý trước khi sử dụng hóa chất pha loãng ở nhiệt độ thấp là cần thiết để giảm số lượng hạt. Thiết bị làm sạch Post-CMP của Shengmei Thượng Hải có thể đáp ứng các yêu cầu này và cung cấp nhiều cấu hình, bao gồm công nghệ làm sạch tiên tiến Smart MegasonixTM do Shengmei Thượng Hải tự phát triển.

Tính năng và thông số kỹ thuật (Ultra C WPN (WIDO))

Thiết bị làm sạch trước trực tuyến:
Có thể đạt được ít hơn 15 hạt còn lại dưới 37 nanomet hoặc ít hơn 28 nanomet
20-25 viên còn lại
Ô nhiễm kim loại có thể được kiểm soát trong phạm vi 1E+8 (nguyên tử/cm vuông)
Khi cấu hình 4 khoang, công suất có thể lên tới 35 wafer mỗi giờ.

Thiết bị làm sạch ngoại tuyến:
Có thể đạt được ít hơn 15 hạt còn lại dưới 37 nanomet hoặc ít hơn 28 nanomet
20-25 viên còn lại
diện tích chiếm đất nhỏ

Tính năng và thông số kỹ thuật (Ultra C WPN (DIDO))

Có thể cấu hình bốn cổng tải

diện tích chiếm đất nhỏ

Bốn hoặc sáu khoang có thể được cấu hình, tương ứng là hai bàn chải mềm và hai khoang làm sạch hoặc hai bàn chải mềm và bốn khoang làm sạch

Có thể đạt được ít hơn 15 hạt còn lại dưới 37 nanomet hoặc 20-25 hạt còn lại dưới 28 nanomet

Công suất lên đến 60 wafer mỗi giờ

Sản phẩm tương tự Khuyến nghị