Phân tích lỗi thành phần bán dẫn

Kiểm tra YourHongxin có đầy đủ các khả năng kiểm tra của các thành phần bán dẫn từ bề mặt đến bên trong, kiểm tra ESD, kiểm tra FIB, quét CT công nghiệp, thí nghiệm mực đỏ, phân tích cắt lát, sắc ký ion và các dự án khác được bảo hiểm đầy đủ, có thể xác định hiệu quả hàn giả, nứt, dư lượng ion và các vấn đề khác, dựa trên các dụng cụ chuyên nghiệp để thực hiện kiểm tra chính xác, hỗ trợ kiểm soát chất lượng thiết bị điện tử.

Phân tích lỗi thành phần bán dẫnbước

Trong công việc thực tế, mộtPhân tích lỗi thành phần bán dẫnNguyên tắc cơ bản "đầu tiên bên ngoài sau khi bên trong, không phá hủy trước khi phá hủy" thường được tuân theo.

1. Bộ sưu tập hiện tượng thất bại và định vị thất bại

Đây là điểm khởi đầu của mọi phân tích. Bạn cần ghi lại càng chi tiết càng tốt:

Hiện tượng thất bại: nó không hoạt động, hoặc tham số trôi dạt, hoặc lỗi liên tục?

Môi trường thất bại: Điều kiện thử nghiệm hoặc sử dụng nào xảy ra?

Tỷ lệ mất hiệu lực: là hiện tượng cá nhân hay là vấn đề mang tính phê duyệt?

Dựa trên hiện tượng, khóa sơ bộ các vị trí gần đúng của thất bại thông qua các bài kiểm tra tính chất điện (ví dụ: kiểm tra đường cong IV) và kiểm tra ngoại hình.

2. Phân tích không phá hủy

Trong điều kiện không gây hư hỏng hàng mẫu, tận dụng đầy đủ các loại dụng cụ để tiến hành kiểm tra.

Kiểm tra ngoại hình: Sử dụng kính hiển vi quang học để kiểm tra cẩn thận, tìm kiếm những bất thường tinh tế như đổi màu, vết nứt, ô nhiễm, v.v.

Kiểm tra tính chất điện: Kiểm tra đường cong IV có thể giúp bạn xác nhận rất nhanh nếu pin bị hỏng có các vấn đề về điện trở cao như ngắn mạch, hở, rò rỉ điện.

Kiểm tra không phá hủy cấu trúc bên trong:

Đối với cáp nội bộ PCB, mối hàn (đặc biệt là BGA), v.v., phối cảnh X-Ray làLựa chọn tốt hơn.

Đối với lớp sau khi ẩm ướt của các thiết bị niêm phong nhựa, bảng nổ PCB, v.v., siêu âm (C-SAM) đặc biệt hiệu quả vì nó rất nhạy cảm với các khuyết tật giao diện.

3. Kỹ thuật phân tích đột phá

Khi một phân tích không phá hủy không thể xác định nguyên nhân gốc rễ, một phân tích phá hoại là cần thiết sau khi được ủy quyền.

Phân tích cắt lát: Đây là phương pháp cổ điển để xem vi cấu trúc bên trong của PCB thông qua các lỗ, mối hàn, v.v. Các mặt cắt ngang có thể được quan sát bằng kính hiển vi được chuẩn bị thông qua một loạt các bước như lấy mẫu, khảm, cắt lát, đánh bóng và ăn mòn.

Nghiền ion: Đây là công nghệ tạo mẫu tiên tiến hơn hiện nay. Đánh bóng cơ học truyền thống có thể gây ra vết trầy xước hoặc ô nhiễm mài mòn, trong khi mài ion sử dụng chùm ion để cắt và đánh bóng, có thể thu được phần không căng thẳng, không gây ô nhiễm, làm cho hình ảnh quan sát được dưới SEM chân thực và sắc nét hơn.

Phân tích SEM/EDS: Đặt các lát cắt đã chuẩn bị vào gương quét (SEM) và có thể quan sát các cấu trúc vi mô cực kỳ tinh tế như các hợp chất liên kim loại, các vết nứt nhỏ, râu thiếc, v.v. Cùng với máy quang phổ năng lượng (EDS), nó cũng có thể thực hiện phân tích định tính và thậm chí bán định lượng về thành phần của các nguyên tố trong các khu vực nhỏ để giúp xác định nguồn gốc của các chất ô nhiễm hoặc ăn mòn.

Mở phân tích: Nếu thất bại được định vị bên trong chip, nó cần phải được tiếp xúc với wafer chip thông qua mở hóa học (bao bì nhựa bên ngoài bị ăn mòn bằng axit) hoặc phương pháp vật lý để quan sát các khuyết tật như bỏng, sự cố bên trong nó bằng SEM.

4. Phân tích tổng hợp và đưa ra kết luận

Cuối cùng, tất cả các dữ liệu, hình ảnh và sự kiện thu được cần phải được suy luận logic tích hợp, xác định cơ chế thất bại (ví dụ: chấn thương tĩnh điện, căng thẳng cơ học, di chuyển điện, v.v.) và cuối cùng xác định nguyên nhân gốc rễ, tạo thành một báo cáo phân tích thất bại có cấu trúc rõ ràng, cung cấp hướng cho những thay đổi chất lượng tiếp theo.

Phân tích lỗi thành phần bán dẫnPhương tiện kỹ thuật